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功率MOSFET

NCE75H11
NCE75H11

VDS = 75V,ID =110A RDS(ON) < 9mΩ @ VGS=10V (Typ:7.5mΩ)

NCE75H11
NCE75H11

The NCE75H11 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.

NCE40H21
NCE40H21

The NCE40H21 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.

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